1. Họ và tên nghiên cứu sinh: Bùi Đình Hợi                               

2.Giới tính: Nam

3. Ngày sinh: 15/04/1983                                                                      

4. Nơi sinh: Thanh Hóa

5. Quyết định công nhận  nghiên cứu sinh: Số 1691/QĐ-SĐH ngày 07/05/2009 của Giám đốc Đại học Quốc gia Hà Nội.

6. Các thay đổi trong quá trình đào tạo: Không

7. Tên đề tài luận án: Lý thuyết lượng tử về hiệu ứng Hall trong hố lượng tử và siêu mạng

8. Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và vật lí toán                            

9. Mã số:  62440103

10. Cán bộ hướng dẫn khoa học: GS.TS Trần Công Phong, GS.TS Nguyễn Quang Báu

11. Tóm tắt các kết quả mới của luận án:

-  Nghiên cứu hiệu ứng Hall trong hố lượng tử và siêu mạng bán dẫn bằng lý thuyết lượng tử khi đặt trong điện trường và từ trường vuông góc dưới ảnh hưởng của một sóng điện từ.

-  Lần đầu tiên thiết lập phương trình động lượng tử cho electron trong hố lượng tử và siêu mạng khi đặt trong từ trường, điện trường không đổi và trường sóng điện từ.

-  Thu được biểu thức giải tích cho tensor độ dẫn, từ trở, hệ số Hall phụ thuộc vào các trường ngoài và các thông số của vật liệu cho hai loại tương tác: tương tác electron – phonon âm và tương tác electron – phonon quang.

-  Các kết quả giải tích được tính số, vẽ đồ thị, thảo luận đối với hố lượng tử parabol GaAs/AlGaAs, siêu mạng pha tạp GaAs:Be/GaAs:Si, hố lượng tử vuông góc GaN/AlGaN. Kết quả của chúng tôi phù hợp tương đối tốt về định tính và định lượng với một số kết quả lý thuyết và thực nghiệm khác.

12. Khả năng ứng dụng thực tiễn:

Luận án góp phần giải thích những cơ chế xảy ra do tương tác electron – phonon trong các hệ bán dẫn hai chiều dưới tác dụng của trường ngoài. Các kết quả cho thấy khả năng ứng dụng của hiệu ứng trong thực nghiệm để xác định các thông tin về cấu trúc vật liệu, chẳng hạn như khối lượng hiệu dụng, khoảng cách giữa các mức năng lượng và mật độ của các hạt tải,… Đây là cơ sở để chế tạo các linh kiện điện tử dựa trên các cấu trúc nanô.

13. Các hướng nghiên cứu tiếp theo:

Các nghiên cứu liên quan đến luận án có thể được mở rộng theo một số hướng như: từ trường đặt theo hướng bất kỳ, xét ảnh hưởng của sự giam giữ phonon, xét quá trình hấp thụ/phát xạ nhiều photon,…

14. Các công trình công bố liên quan đến luận án:

[1] Nguyen Quang Bau and Bui Dinh Hoi (2012), “Influence of a strong electromagnetic wave (laser radiation) on the Hall effect in quantum wells with a parabolic potential”,  Journal of the Korean Physical Society 60(1), pp. 59 – 64.

[2] Nguyen Quang Bau, Bui Dinh Hoi (2012), “On the Hall effect in parabolic quantum wells with a perpendicular magnetic field under the influence of a strong electromagnetic wave (laser radiation)”, VNU Journal of Science, Mathematics - Physics 28(1S), pp. 24 - 29.

[3] Bui Dinh Hoi, Tran Cong Phong (2012), ‘Nonlinear current density in quantum wells with parabolic potential under crossed electric and magnetic fields’, International Journal of Computational Materials Science and Engineering 1(2), pp. 1250021.

[4] Bui Dinh Hoi, Le Kim Dung, Nguyen Quang Bau (2012), “On the Hall effect in parabolic quantum wells with an in-plane magnetic field in the presence of a strong electromagnetic wave (laser radiation)”, Proceedings of the National Conference on Theoretical Physics 37, pp. 199-205.

[5] Nguyen Quang Bau, Nguyen Van Nghia, Nguyen Van Hieu, and Bui Dinh Hoi (2013), “Influence of a Strong Electromagnetic Wave (Laser Radiation) on the Hall Coefficient in Doped Semiconductor Superlattices with an In-plane Magnetic Field”, Progress In Electromagnetics Research Symposium Proceedings, March 25-28, Taipei, pp. 416 - 421.

[6] Bui Dinh Hoi, Do Tuan Long, Pham Thi Trang, Le Thi Thiem, Nguyen Quang Bau (2013), “The Hall coefficient in parabolic quantum wells with a perpendicular magnetic field under the influence of laser radiation”, Journal of Science of HNUE: Mathematical and Physical Sci. 58(7), pp. 154-166.

[7] Bui Dinh Hoi, Pham Thi Trang, Nguyen Quang Bau (2013), “Calculation of the Hall Coefficient in Doped Semiconductor Superlattices with a Perpendicular Magnetic Field under the Influence of a Laser Radiation”, VNU Journal of Mathematics –Physics 29(1), pp. 33 - 43.

[8] Nguyen Quang Bau, Bui Dinh Hoi (2014), “Investigation of the Hall effect in rectangular quantum wells with a perpendicular magnetic fields in the presence of a high-frequency electromagnetic wave”, International Journal of Modern Physics B 28(3), pp. 1450001-1 (14 pages) .

[9] Nguyen Quang Bau, Bui Dinh Hoi (2014), “Dependence of the Hall Coefficient on Doping Concentration in Doped Semiconductor Superlattices with a Perpendicular Magnetic Field under the Influence of a Laser Radiation”, Integrated Ferroelectrics: An International Journal 155(1), pp. 39-44.

[10]  Nguyen Quang Bau, Bui Dinh Hoi, Tran Cong Phong (2014), “Hall Effect in a Doping Semiconductor Superlattice with an In-plane Magnetic Field under Influence of an Intense Electromagnetic Wave”, Communications in Physics 24(3S1), pp. 45-50.     

>>>>> Bản thông tin LATS bằng tiếng Anh.