1. Họ và tên nghiên cứu sinh: Đỗ Tuấn Long                  

2. Giới tính: Nam

3. Ngày sinh: 24/10/1988                                               

4. Nơi sinh: Hà Nam

5. Quyết định công nhận nghiên cứu sinh: Số 4050/QĐ-KHTN-CTSV ngày 19/09/2013 của Hiệu trưởng Trường Đại học Khoa học Tự nhiên – ĐHQGHN.

6. Các thay đổi trong quá trình đào tạo: Không  

7. Tên đề tài luận án: Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều.

8. Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán             

9. Mã số: 62440103

10. Cán bộ hướng dẫn khoa học: GS. TS. Nguyễn Quang Báu   

11. Tóm tắt các kết quả mới của luận án:

- Đã dẫn ra phương trình động lượng tử cho hàm phân bố electron trong hố lượng tử, siêu mạng hợp phần, siêu mạng pha tạp, dây lượng tử hình trụ, dây lượng tử hình chữ nhật khi có mặt bức xạ laser, điện trường không đổi, từ trường mạnh hoặc sóng điện từ phân cực thẳng và có kể đến sự giam cầm của phonon.

- Tìm được biểu thức giải tích của ten-xơ độ dẫn Hall, hệ số Hall, từ trở trong các hệ bán dẫn hai chiều dưới ảnh hưởng của phonon quang giam cầm. Thu lại được các kết quả giới hạn cho trường hợp phonon quang không giam cầm. Tính số các kết quả giải tích cho hố lượng tử AlGaAs/GaAs/AlGaAs, siêu mạng hợp phần GaAs/Al_xGa_1-xAs và siêu mạng pha tạp GaAs:Si/GaAs:Be. Phonon quang giam cầm làm tăng độ lớn và làm xuất hiện thêm các đỉnh cộng hưởng của ten-xơ độ dẫn Hall, làm giảm độ lớn của hệ số Hall và từ trở. Khi vật liệu càng hẹp thì electron và phonon quang bị giam cầm càng mạnh và hiệu ứng thu được càng rõ nét. Thêm vào đó, sự tăng gần tuyến tính của từ trở theo nhiệt độ cho thấy sự phù hợp của lý thuyết với kết quả thực nghiệm. Khi kể đến sự giam cầm của phonon quang thì đồ thị càng phù hợp với kết quả thực nghiệm hơn.

- Tính được biểu thức giải tích của trường vô tuyến điện trong các hệ bán dẫn hai chiều và một chiều dưới ảnh hưởng của phonon giam cầm. Thu lại được các kết quả giới hạn cho trường hợp phonon không giam cầm. Tính số các kết quả giải tích cho hố lượng tử AlGaAs/GaAs/AlGaAs, siêu mạng pha tạp GaAs:Si/GaAs:Be, dây lượng tử GaAs/AlGaAs hình trụ và hình chữ nhật. Phonon giam cầm làm tăng đáng kể cường độ của trường vô tuyến điện. Ngoài ra, phonon quang giam cầm còn làm xuất hiện thêm các đỉnh cộng hưởng của trường vô tuyến điện trong các hệ bán dẫn thấp chiều.

- Chỉ ra được điều kiện cộng hưởng từ - phonon trong các hệ bán dẫn hai chiều khi có mặt của từ trường mạnh, điện trường không đổi, bức xạ laser và có kể đến hiệu ứng giam cầm phonon quang. Tìm được điều kiện cộng hưởng electron giam cầm– phonon quang giam cầm trong các hệ bán dẫn hai chiều và một chiều khi có mặt của bức xạ laser. Từ đó giải thích được các kết quả tính số thu được ở trên.

12. Khả năng ứng dụng thực tiễn:

Các kết quả của luận án góp phần hoàn thiện lý thuyết về các tính chất vật lý của bán dẫn thấp chiều, cung cấp thông tin về các tính chất mới của vật liệu. Đồng thời, các kết quả này còn là cơ sở lý thuyết của các thực nghiệm trong lĩnh vực bán dẫn nano và tạo định hướng để chế tạo vật liệu tiên tiến mới.

13. Các hướng nghiên cứu tiếp theo:

Nghiên cứu ảnh hưởng của hiệu ứng kích thước lượng tử lên các tính chất vật lý của các hệ thấp chiều.

14. Các công trình công bố liên quan đến luận án:

[1]  Nguyen Quang Bau, Do Tuan Long (2018), “Influence of confined optical phonons and laser radiation on the Hall effect in a compositional superlattice”, Physica  B:  Physics  of  Condensed  Matter 532, pp. 149-154, ISSN: 0921-4526. (ISI)

[2]  Do Tuan Long, Nguyen Quang Bau (2015), “Influence of confined acoustic phonons on the Radioelectric field in a Quantum Well”, Journal of Physics: Conference Series 627(012019), pp. 1-5, ISSN: 1742-6588. (SCOPUS)

[3]  Nguyen Quang Bau, Dao Thu Hang, Do Tuan Long (2016), “The Radioelectric effect in doped superlattices under the influence of confined phonon”, Journal of Physics: Conference Series 726(012015), pp. 1-5, ISSN: 1742-6588. (SCOPUS)

[4]  Do Tuan Long, Dinh Thi Dieu Linh, Nguyen Xuan Ha, Nguyen Quang Bau (2015), Influence of quantum size effects on the Radioelectric field in a Quantum Well, VNU Journal of Science: Mathematics – Physics 31,  pp. 119-123, ISSN: 0866-8612.

[5]  Nguyen Quang Bau, Do Tuan Long (2016), “Impact of confined LO-phonons on the Hall effect in doped semiconductor superlattices”, Journal of Science: Advanced Materials and Devices 1, pp. 209-213, ISSN: 2468-2179.

[6]  Do Tuan Long, Le Thai Hung and  Nguyen Quang Bau (2016), “Influence of Confined Optical Phonons on the Hall Effect in a Quantum Well with High Infinite Potential under the Presence of an Intense Electromagnetic Wave”, Progress in Electromagnetics Research Symposium, Shanghai - China, 8-11 August 2016, pp. 3878-3882, ISBN: 978-1-5090-6094-8.

[7]  Nguyen Quang Bau, Cao Thi Vi Ba, Do Tuan Long (2017), “Influence of Confined Optical Phonons and Laser Radiation on the Radioelectric Effect in a Cylindrical Semiconductor Quantum Wire with Parabolic Potential”, VNU Journal of Science: Mathematics – Physics 33(3), pp. 1-6, ISSN: 0866-8612.