1. Họ và tên: Nguyễn Thị Lâm Quỳnh                                         2.Giới tính: Nữ

3. Ngày sinh: 20/7/1990                                                             4. Nơi sinh: Phú Thọ

5. Quyết định công nhận nghiên cứu sinh: 2999/QĐ-ĐHKHTN ngày 18/8/2016 của Hiệu trưởng trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội.

6. Các thay đổi trong quá trình đào tạo:

- Quyết định gia hạn học tập số 567/QĐ-ĐHKHTN ngày 14/02/2020 và số 318/QĐ-ĐHKHTN ngày 01/02/2021 của Hiệu trưởng Trường Đại học Khoa học Tự nhiên

7. Tên đề tài luận án: Ảnh hưởng của sự lượng tử hoá do giảm kích thước lên hiệu ứng Ettingshausen và hiệu ứng Peltier trong siêu mạng và hố lượng tử

8. Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và vật lí toán                             9. Mã số: 9440130.01

10. Cán bộ hướng dẫn khoa học: PGS. TS. Nguyễn Bá Đức; GS. TS. Nguyễn Quang Báu

11. Tóm tắt các kết quả mới của luận án:

1. Thiết lập được các phương trình động lượng tử cho hàm phân bố điện tử trong các hệ 2D khi có mặt sóng điện từ mạnh, điện trường không đổi, từ trường và có kể đến sự giam cầm cả điện tử và phonon. Từ đó, tìm được biểu thức giải tích của hệ số Ettingshausen (EC) và hệ số Peltier (PC) với hai cơ chế tán xạ là tán xạ điện tử giam cầm - phonon âm giam cầm và tán xạ điện tử giam cầm - phonon quang giam cầm. Các kết quả giải tích thu được cho thấy sự lượng tử hoá do giảm kích thước trong các hệ bán dẫn hai chiều (2D) ảnh hưởng đáng kể đến hiệu ứng Ettingshausen và hiệu ứng Peltier với sự xuất hiện của các chỉ số lượng tử N, n đặc trưng cho sự giam cầm của điện tử và chỉ số lượng tử m đặc trưng cho sự giam cầm của phonon. Khi cho m tiến về giá trị 0 và thừa số dạng điện tử trở về biểu thức như trong trường hợp phonon không giam cầm, chúng tôi thu lại được kết quả cho trường hợp phonon không giam cầm. Bên cạnh đó, cả EC và PC đều phụ thuộc vào các tham số đặc trưng cho trường ngoài (biên độ E0 và tần số  của sóng điện từ mạnh, điện trường không đổi E, từ trường B), các tham số cấu trúc vật liệu (bề rộng hố lượng tử L, nồng độ pha tạp nD, chu kỳ siêu mạng d và nhiệt độ T của hệ.

2. Kết quả tính số đối với các hệ 2D tiêu biểu, gồm hố lượng tử parabol GaAs/AlGaAs, siêu mạng pha tạp GaAs:Si/GaAs:Be và siêu mạng hợp phần GaAs/Al0.25Ga0.75As, đã minh hoạ trực quan cho các kết quả giải tích thu được. Từ đó chỉ rõ ảnh hưởng của phonon giam cầm lên hiệu ứng Ettingshausen và hiệu ứng Peltier. Cụ thể:

+ Phonon giam cầm làm thay đổi đáng kể độ lớn của cả EC và PC trong các hệ 2D so với trường hợp phonon không giam cầm.

+ Sự giam cầm của phonon âm là nguyên nhân làm thay đổi biên độ dao động từ của EC và PC trong siêu mạng và làm cho các dao động trở nên rõ nét.

+ Phonon quang giam cầm đóng góp vào điều kiện cộng hưởng từ - phonon - photon trong các hệ 2D, gây nên sự dịch chuyển vị trí, thay đổi độ cao các đỉnh cộng hưởng của EC và PC (so với trường hợp phonon quang không giam cầm) khi khảo sát sự phụ thuộc của hai hệ số này vào từ trường và tần số của sóng điện từ mạnh.

12. Khả năng ứng dụng thực tiễn

Các kết quả của luận án góp phần xây dựng và hoàn thiện lí thuyết lượng tử về EE và PE trong các hệ 2D. Các kết quả được trình bày trong luận án là cơ sở cho việc tiến hành các thực nghiệm trong lĩnh vực công nghệ bán dẫn nano, nghiên cứu và chế tạo các vật liệu mới.

13. Các hướng nghiên cứu tiếp theo

Các hiệu ứng từ - nhiệt - điện lượng tử trong các hệ bán dẫn thấp chiều.

14. Các công trình công bố liên quan đến luận án

1. Nguyen Thi Lam Quynh*, Nguyen Ba Duc, Nguyen Quang Bau (2018), "Calculation of the Ettingshausen coefficient in quantum wells with parabolic potential in the presence of electromagnetic wave (for electron-confined acoustic phonons scattering", Sci. J. Tan Trao University 9, pp. 73-79.

2. Nguyen Thi Lam Quynh*, Cao Thi Vi Ba, Nguyen Quang Bau (2019), "The calculation of the Ettingshausen coefficient in quantum wells under the influence of confined phonons (for electron – confined optical phonon scattering)" VNU J. Sci.: Math. Phys. 35, pp. 67-73.

3. Nguyen Quang Bau*, Nguyen Thi Lam Quynh, Cao Thi Vi Ba, Le Thai Hung (2020), "Doped two-dimensional semiconductor superlattice: photo-stimulated quantum thermo-magnetoelectric effects under the influence of a confined phonon", J. Korean Phys. Soc. 77, pp. 1224-1232. (ISI)

4. Cao Thi Vi Ba, Nguyen Thi Lam Quynh*, Nguyen Quang Bau (2020), "The Ettingshausen effect in doped semiconductor superlattice under the influence of confined optical phonon', VNU J. Sci.: Math. Phys. 36, pp. 39-46.

5. Le Thai Hung, Nguyen Thi Lam Quynh*, Nguyen Thi Nguyet Anh, Nguyen Quang Bau (2021), "The influence of confined acoustic phonon on the quantum Peltier effect in doped semiconductor superlattice in the presence of electromagnetic wave", J. Phys: Conf. Ser. 1932, 012009. (Scopus)

6. Cao Thi Vi Ba, Nguyen Thi Lam Quynh*, Nguyen Quang Bau, Nguyen Ba Duc (2022), "Quantum Peltier coefficient resonance in a GaAs/AlGaAs parabolic quantum well with confined optical phonon", J. Phys: Conf. Ser. 2269, 012008. (Scopus)

7. Cao Thi Vi Ba, Nguyen Quang Bau*, Nguyen Thi Lam Quynh, Nguyen Dinh Nam, Do Tuan Long (2022), "Theoretical study of photo-stimulated thermo-magnetoelectric effects in two-dimensional compositional superlattices by using quntum kinetic equation", J. Korean Phys. Soc. 81, pp. 757-769 (ISI).