VNU Logo
Thư viện sốVNU OfficeE-mailIT ServicesSitemap
  • Logo
  • Giới thiệu
    • Tổng quan
      • Lịch sử
      • Sứ mạng - Tầm nhìn
      • Chiến lược phát triển
      • Thi đua - Khen thưởng
      • Số liệu thống kê
      • Bản đồ Hà Nội
      • Các cơ sở của ĐHQGHN
      • Website kỷ niệm 100 năm ĐHQGHN
    • Cơ cấu tổ chức
      • Sơ đồ tổ chức
      • Ban Giám đốc
      • Đảng ủy
      • Hội đồng Khoa học và Đào tạo
      • Văn phòng & ban chức năng
      • Công đoàn ĐHQGHN
      • Đoàn Thanh niên, Hội Sinh viên
      • Các trường đại học thành viên
      • Các trường trực thuộc
      • Các đơn vị nghiên cứu khoa học
      • Các trung tâm đào tạo môn chung
      • Các đơn vị phục vụ, dịch vụ
      • Các đơn vị thực hiện nhiệm vụ đặc biệt
      • Văn bản pháp quy
      • Thủ tục hành chính trực tuyến
    • Ba công khai
      • Chất lượng đào tạo
      • Cơ sở vật chất
      • Tài chính
      • Số liệu tổng hợp
    • Báo cáo thường niên ĐHQGHN
    • Ấn phẩm Giới thiệu ĐHQGHN
    • Video
    • Logo ĐHQGHN
    • Bài hát truyền thống
    • Tiến sĩ danh dự của ĐHQGHN
  • Đào tạo
    • Giới thiệu chung
    • Kế hoạch học tập và giảng dạy
    • Chương trình đào tạo bậc đại học
    • Chương trình đào tạo thạc sĩ
    • Chương trình đào tạo tiến sĩ
    • Chương trình đào tạo liên kết
    • Đào tạo hệ THCS và THPT
    • Số liệu thống kê
    • Mẫu văn bằng
    • Văn bản liên quan
  • Khoa học công nghệ
    • Giới thiệu chung
    • Hoạt động Khoa học - Công nghệ
    • Chiến lược KHCN&ĐMST 2021-2030
    • Chương trình, dự án, đề tài
      • Chương trình KHCN cấp Nhà nước
      • Đề tài cấp Nhà nước
      • Chương trình KHCN cấp ĐHQGHN
      • Đề tài cấp ĐHQGHN
      • Bộ, ngành, địa phương và doanh nghiệp
      • Nghiên cứu ứng dụng
    • Hệ thống phòng thí nghiệm
    • Nhóm nghiên cứu
    • Các hội đồng chuyên môn
    • Quỹ phát triển khoa học & công nghệ
      • Giới thiệu
      • Điều lệ, tổ chức hoạt động
    • Giải thưởng Khoa học - Công nghệ
      • Giải thưởng Hồ Chí Minh
      • Giải thưởng Nhà nước
      • Giải thưởng quốc tế
      • Giải thưởng ĐHQGHN
      • Giải thưởng khoa học sinh viên
      • Các giải thưởng khác
    • Các sản phẩm KHCN
      • Các ấn phẩm
      • Sở hữu trí tuệ
      • Các sản phẩm công nghệ, kỹ thuật
      • Bài báo khoa học
    • Chuyển giao tri thức & hỗ trợ khởi nghiệp
    • Văn bản liên quan
  • Hợp tác & phát triển
    • Giới thiệu chung
      • Lời giới thiệu
      • Đội ngũ
      • Bản tin hợp tác phát triển - PDF
    • Hợp tác quốc tế
      • Đối tác quốc tế
        • Châu Á
        • Châu Âu
        • Châu Đại dương
        • Châu Mỹ
      • Chương trình hợp tác
        • Trao đổi & học bổng
        • Hợp tác nghiên cứu
        • Hội nghị - Hội thảo
      • Mạng lưới hợp tác quốc tế
        • AUF
        • AUN
        • ASAIHL
        • BESETOHA
        • CONFRASIE
        • UMAP
        • SATU
      • Các thỏa thuận hợp tác quốc tế
    • Hợp tác trong nước
      • Các đối tác trong nước
      • Các dự án trong nước
        • Danh mục các nhiệm vụ KHCN hợp tác với doanh nghiệp, địa phương
        • Trường ĐH Khoa học Tự nhiên
        • Trường ĐH Công nghệ
        • Trường ĐH Kinh tế
        • Viện Việt Nam học và KHPT
        • Viện Vi sinh vật và CNSH
    • Văn bản quản lý
      • Văn bản liên quan
      • Sổ tay Hợp tác quốc tế
  • Sinh viên
    • Giới thiệu chung
    • Học bổng
      • Trong nước
      • Ngoài nước
      • Quy định
      • Tin tức
      • Đăng ký học bổng
    • Hỗ trợ sinh viên
      • Đoàn - Hội
      • Đời sống
      • Các câu lạc bộ
      • Tư vấn, hỗ trợ việc làm
      • Vay vốn
      • Ký túc xá sinh viên
    • Chương trình trao đổi sinh viên
    • Cựu sinh viên
    • Văn bản - Biểu mẫu
  • Cán bộ
    • Giới thiệu chung
    • Số liệu thống kê
      • Theo đối tượng, vị trí việc làm
      • Theo chức danh khoa học và trình độ đào tạo
    • Danh hiệu nhà giáo
      • Nhà giáo Nhân dân
      • Nhà giáo Ưu tú
    • Đội ngũ GS, PGS
      • Các Giáo sư
      • Các Phó giáo sư
    • Tuyển dụng
      • Kênh thu hút nhà khoa học
      • Ứng tuyển & hợp tác
      • Vị trí tuyển dụng
      • Thông tin hữu ích
      • Liên hệ, đề xuất
    • Văn bản liên quan
  • Các đơn vị thành viên
    • Trường đại học thành viên
      • Trường Đại học Khoa học Tự nhiên
      • Trường Đại học Khoa học Xã hội & Nhân văn
      • Trường Đại học Ngoại ngữ
      • Trường Đại học Công nghệ
      • Trường Đại học Kinh tế
      • Trường Đại học Giáo dục
      • Trường Đại học Việt Nhật
      • Trường Đại học Y Dược
      • Trường Đại học Luật
    • Trường trực thuộc
      • Trường Quản trị và Kinh doanh
      • Trường Quốc tế
      • Trường Khoa học liên ngành và Nghệ thuật
    • Viện nghiên cứu
      • Viện Vi sinh vật và Công nghệ sinh học
      • Viện Tài nguyên và Môi trường
      • Viện Công nghệ thông tin
      • Viện Việt Nam học và Khoa học phát triển
      • Viện Trần Nhân Tông
      • Công viên Công nghệ cao và Đổi mới sáng tạo
        • Viện Bán dẫn và Vật liệu tiên tiến
        • Viện Nghiên cứu ứng dụng Trí tuệ nhân tạo trong phát triển bền vững
        • Viện Công nghệ Lượng tử
        • Trung tâm Chuyển giao tri thức và Hỗ trợ khởi nghiệp
        • Trung tâm Dự báo và Phát triển nguồn nhân lực
        • Trung tâm hỗ trợ sinh viên
    • Trung tâm đào tạo trực thuộc
      • Trung tâm Giáo dục Quốc phòng và An ninh
      • Trung tâm Giáo dục Thể chất và Thể thao
    • Đơn vị phục vụ, dịch vụ
      • Ban Quản lý dự án
      • Ban Quản lý Dự án World Bank
      • Bệnh viện Đại học Quốc gia Hà Nội
      • Nhà Xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội
      • Trung tâm Kiểm định Chất lượng Giáo dục
      • Trung tâm Quản lý đô thị đại học
      • Trung tâm Thư viện và Tri thức số
      • Tạp chí Khoa học
      • Viện Đào tạo số và Khảo thí
    • Đơn vị khác
      • Trung tâm Hỗ trợ nghiên cứu châu Á
      • Văn phòng Hợp tác ĐHQGHN - ĐH Arizona
      • Văn phòng các chương trình KH&CN trọng điểm ĐHQGHN
      • Quỹ Phát triển KH&CN
      • Quỹ Phát triển ĐHQGHN
      • Câu lạc bộ Nhà khoa học ĐHQGHN
      • Câu lạc bộ Cựu sinh viên
VNU Logo

Giấy phép số 993/GP-TTĐT ngày 20/3/2020 của Sở Thông tin và Truyền thông Hà Nội.

Khu đô thị Đại học Quốc Gia Hà Nội, Hòa Lạc, Hà Nội

 media@vnu.edu.vn

 

Thứ tư15-08-2018
|Thông báoSau đại học

Thông tin LATS của NCS Đào Sơn Lâm

Tên đề tài luận án: Nghiên cứu tính chất của băng và dây vô định hình từ mềm nền Coban nhằm ứng dụng làm cảm biến từ tổng trở (GMI) đo từ trường yếu của các hạt nano từ.

1. Họ và tên nghiên cứu sinh:ĐÀO SƠN LÂM                    

2.Giới tính: Nam

3. Ngày sinh:     24/5/1985                                                            

4. Nơi sinh: Lục Nam, Bắc Giang

5. Quyết định công nhận  nghiên cứu sinh:  Số 4050/QĐ-KHTN-CTSV ngày 19/9/2013 của Giám đốc Đại học Quốc gia Hà Nội.

6. Các thay đổi trong quá trình đào tạo: Gia hạn thêm thời gian đào tạo thêm 15 tháng

7. Tên đề tài luận án:Nghiên cứu tính chất của băng và dây vô định hình từ mềm nền Coban nhằm ứng dụng làm cảm biến từ tổng trở (GMI) đo từ trường yếu của các hạt nano từ.

8. Chuyên ngành:          Vật lý chất rắn                                      

9. Mã số: 62440104

10. Cán bộ hướng dẫn khoa học:           Hướng dẫn chính: PGS.TS Ngô Thu Hương      

                                                             Hướng dẫn phụ: PGS.TS Phan Mạnh Hưởng

11. Tóm tắt các kết quả mới của luận án:

Nghiên cứu đã thu được kết quả chính như sau: vật liệu băng từ và dây từ giầu Co được nghiên cứu ủ ở nhiệt độ khoảng: 100C, 200C, 350C, 400C, và 450C trong thời gian 15 phút. Phép đo từ tổng trở sử dụng từ trường một chiều có cường độ lên tới ±115 trong dải tần số khoảng 100 MHz –1 GHz.Đối với vật liệu dây vô định hình: Nghiên cứu đã thể hiện rằng, đường cong ΔR/R (H) có dạng đôi đỉnh, độ nhạy ξ đạt giá trị cực đại (ξmax) ở hai giá trị từ trường H > HK và H < HK, trong đó HK là từ trường dị hướng hiệu dụng của vật liệu. Điều đặc biệt, khi H > HK, độ nhạy cực đại của vật liệu có xu hướng giảm khi tần số tăng từ 100-1000 MHz, giá trị cực đại của độ nhạy đạt được đối với mẫu được ủ ở khoảng 200C, điều này được thể hiện bởi tính chất từ mềm ( giá trị từ độ cực đại cao nhất) tốt nhất trong khoảng nhiệt độ ủ này. Khi nhiệt độ ủ khoảng 100, 200, 350 C giá trị của Mmax và ΔR/R cao hơn nhiều so với mẫu chưa được xử lý nhiệt. Trong trường hợp H < HK, đường cong của ξmax theo tần số có xu hướng khác biệt. Giá trị lớn nhất của độ nhạy sẽ tăng dần theo tần số và đạt giá trị cực đại khi tần số đạt khoảng từ 400-600 MHz sau đó giá trị này sẽ giảm dần trong khoảng tần số cao hơn. Đối với mẫu được ủ ở 350C, giá trị độ nhạy cực đại đạt được  ξmax = 34%/Oe at f = 400 MHz. Độ nhạy cực đại trong khoảng nhỏ hơn HK sẽ có giá trị cao hơn trong khi từ trường kích kích đặt vào có giá trị H > HK.Đối với vật liệu băng từ vô định hình giầu Co (Co0.95Fe00.05) 89Zr7B4: giá trị độ nhạy cực đại ξmax sẽ có xu hướng giảm dần khi tần số tăng từ 100 đên 1000 MHz. Giá trị độ nhạy cực đại ξmax đạt được ứng với mẫu ủ ở 100C, tương ứng với giá trị từ độ cực đại Mmax đạt giá trị cao nhất. Các mẫu được ủ nhiệt ở 100-350C có giá trị ΔR/R cao hơn mẫu khi chưa ủ nhiệt. Trong trường hợp mẫu ủ nhiệt ở 350C độ nhạy cực đại của vật liệu sẽ có giá trị cao hơn so với mẫu chưa được xử lý nhiệt. Đối với cảm biến GMI sử dụng vật liệu băng từ và dây từ giẩu Co làm thành phần chính, tại tần số f= 400-600 MHz, trong từ trường kích thích HDC = 1.5Oe, tín hiệu độ nhạy của cảm biến sẽ phụ thuộc vào lượng hạt nano từ tính Fe3O4 . Trong đó ở khoảng cách 1mm cảm biến sử dụng dây từ sẽ phát hiện được từ trường yếu khoảng 19mOe.Đối với cảm biến sử dụng dây từ giầu Co, ở tần số khoảng 500 MHz,giá trị ΔRmax đạt khoảng 400mΩ ứng với lượng hạt khoảng 10 mg Fe3O4, sau đó có xu hướng tăng dần đến các giá trị 600, 800, 900, và 920mΩ ứng với lượng hạt Fe3O4 tương ứng khoảng 20, 30, 40, 50 mg. Điều đặc biệt hơn, trong cả dải tần số khi H < HK, độ nhạy của dây từ vô định hình sẽ đạt giá trị cực đại khi tần số thuộc khoảng 400-600 MHz. Đối với cảm biến sử dụng băng từ vô định hình giầu Co, trong dải tần số từ 100 -1000MHz, trong từ trường kích thích HDC = 12,5Oe, thành phần thực R của tổng trở sẽ phụ thuộc vào khối lượng hạt Fe3O4. Giá trị độ biến thiên R sẽ tăng dần khi khối lượng hệ mẫu nano Fe3O4 tăng dần từ 10 đến 50 mg. Giá trị lớn nhất đạt được khi tần số đạt khoảng 800-1000 MHz.

 12. Khả năng ứng dụng thực tiễn

Cảm biến GMI sử dụng băng và dây từ vô định hình giầu Co sẽ được ứng dụng phát hiện từ trường yếu trong dải tần số cao từ 100-1000 MHz.

13. Các hướng nghiên cứu tiếp theo:

Trong tương lai, cảm biến GMI sử dụng băng và dây từ vô định hình giầu Co sẽ phát hiện sớm các phân tử sinh học và phát hiện sớm các tế bào ung thư trong dải tần số cao ở ứng dụng nghiên cứu y sinh.

14. Các công trình công bố liên quan đến luận án:

1. D.S. Lam, J. Devkota, N.T. Huong, H. Srikanth & M.H.Phan, “Enhanced High-Frequency Magneto resistance Response of Melt- Extracted Co-Rich soft Ferromagnetic microwires”. (2016), Journal of Electronic Materials, Volume 45. Issue 5, pp 2395-2400.

2. Dao Son Lam, J. Devkota, N. T. Huong, H. Srikanth, and M. H. Phan. (2014),” High frequency magneto-resistance effects of Co-rich soft ferromagnetic ribbons and microwires”, Báo cáo tại Hội nghị quốc tế: 8th Energy Materials Nanotechnology, Orlando, Florida, USA, tr. 225-226

3. Đào Sơn Lâm, Nguyễn Ngọc Đỉnh, N.T. Kim Anh , Tô Thành Tâm, Nguyễn Duy Phương, Ngô Thu Hương và Phan Mạnh Hưởng. (2013), “Chế tạo và nghiên cứu tính chất từ của hạt nano Fe3O4 pha tạp Co, Ni”, Kỷ yếu tại hội nghị Vật lý Chất rắn và Khoa học Vật liệu toàn quốc lần thứ 8, tr. 115-118.

4. Đào Sơn Lâm, J. Devkota, Ngô Thu Hương, và Phan Mạnh Hưởng. (2015) ,”Sự tối ưu hóa của hiệu ứng từ trở khổng lồ ở tần số cao của các băng  bằng phương pháp ủ nhiệt” , Kỷ yếu  Hội nghị Vật lý chất rắn và Khoa học vật liệu toàn quốc lần thứ 9,  tr. 40-43.

5. Đào Sơn Lâm, Phan Mạnh Hưởng, Ngô Thu Hương. (2017),” Nghiên cứu khả năng phát hiện hạt nano từ tính của băng từ nền Co trong dải tần số cao”,Hội nghị Vật lý chất rắn và Khoa học vật liệu toàn quốc lần thứ 10, tr. 56-59.

6. Đào Sơn Lâm, Ngô Thu Hương, Phan Mạnh Hưởng. (2017),”Nghiên cứu định hướng chế tạo cảm biến từ tiên tiến phát hiện từ trường yếu sử dụng dây từ nền Co”, Kỷ yếu  Hội nghị Vật lý chất rắn và Khoa học vật liệu toàn quốc lần thứ 10, tr. 60-63.

7. T. Eggersa, D.S.Lam, O.Thiabgoh, J. Marcinc, P. Švec, N.T. Huong, I. Škorvánek, M.H. Phan,” Impact of the transverse magnetocrystalline anisotropy of a Co coating layer on the magnetoimpedance response of FeNi-rich nanocrystalline ribbon”. (2018), Journal of Alloys and Compounds, 741, pp. 1105-1111.

Quang Lợi - VNU - HUS - VNU - HUS
avatar
send icon

Có thể bạn quan tâm

  • Thông tin LATS của NCS Mai Việt Dũng
  • VNU – IS: Tuyển sinh đợt 2 chương trình Thạc sĩ Kinh doanh quốc tế
  • VNU – IS: Tuyển sinh đợt 2 chương trình Thạc sĩ Quản trị tài chính
  • Trường Quốc tế đang tiếp nhận hồ sơ tuyển sinh sau đại học đợt 2 năm 2025
  • Thông tin LATS của NCS Phạm Thị Thu Huyền
  • Thông tin LATS của NCS Nguyễn Minh Đức
  • Thông tin LATS của NCS Phạm Thị Phương Nga
Chia sẻ
Share on Facebook
Share on Zalo
Danh mục

Sự kiện sắp tới

Đại học

Sau đại học

Hội thảo

Học bổng

Tuyển sinh

Việc làm

Văn bản - Quyết định

Nhiệm vụ chiến lược